BLM7G1822S-80PBY متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLM7G1822S-80PBY، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLM7G1822S-80PBY عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLM7G1822S-80PBY مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLM7G1822S-80PBY
- رقم القطعة:
- BLM7G1822S-80PBY
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122
- حالة خالية من الرصاص:
- خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات متوافقة مع الإعفاء
- كمية المخزون:
- 55990 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLM7G1822S-80PBY.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 8W |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SOT-1211-2 |
| اسماء اخرى: | 1603-1043-1 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption |
| ربح: | 28dB |
| تردد: | 2.17GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 80mA 2.17GHz 28dB 8W |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 80mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLM7G1822S-80PBY
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLM8D1822S-50PBGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOP | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-80ABY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-40ABY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12112 | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-40PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111 | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-40ABGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-80ABGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12121 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-20PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-45ABGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-15PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112 | تحقيق |
 |
BLM41PG750SZ1L | Murata Electronics | FERRITE BEAD 75 OHM 1806 1LN | تحقيق |
|
BLM7G1822S-20PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12111 | تحقيق |
 |
BLM8D1822-25BZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT1462-1 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-15PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM7G22S-60PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-30PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | تحقيق |
|
BLM8D1822S-50PBY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOPF | تحقيق |
|
BLM7G24S-30BGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-80PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM7G22S-60PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-40PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU