بطاقة خط

Cree Wolfspeed

Cree Wolfspeed

- تعرف الآن قوة Cree وقسم RF باسم Wolfspeed، A Cree Company. تقوم Wolfspeed بتحرير الطاقة والأنظمة اللاسلكية من قيود السليكون عن طريق قيادة الابتكار وتسويق أنظمة الجيل التالي القائمة على كربيد السيليكون ونيتريد الغاليوم.
صورة رقم القطعة وصف رأي
CAS100H12AM1 Image CAS100H12AM1 MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE تحقيق
C3D04060E-TR Image C3D04060E-TR DIODE SCHOTTKY 600V 15.5A TO252 تحقيق
C3D10065A Image C3D10065A DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 تحقيق
C2M0025120D Image C2M0025120D MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247 تحقيق
C2M0160120D Image C2M0160120D MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247 تحقيق
PTFC262157SH-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTFC261402FC-V1 IC AMP RF LDMOS تحقيق
CGHV40050F Image CGHV40050F RF MOSFET HEMT 50V 440193 تحقيق
C3D04065E-TR Image C3D04065E-TR DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO252 تحقيق
C3M0065090J Image C3M0065090J MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 تحقيق
C3M0120090J-TR Image C3M0120090J-TR MOSFET N-CH 900V 22A تحقيق
CGHV60040D-GP4 Image CGHV60040D-GP4 RF MOSFET HEMT 50V DIE تحقيق
PTFA211801E-V5-R250 Image PTFA211801E-V5-R250 FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2 تحقيق
PXAC201202FC-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-37248-4 تحقيق
CGHV60170D-GP4 Image CGHV60170D-GP4 RF MOSFET HEMT 50V DIE تحقيق
C2D10120A Image C2D10120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 تحقيق
PTFA041501F-V4-R0 RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-2 تحقيق
C3D25170H Image C3D25170H DIODE SCHOTTKY 1.7KV 26.3A TO247 تحقيق
C4D10120D Image C4D10120D DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 تحقيق
PTFB091802FC-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37248-4 تحقيق
C4D05120A Image C4D05120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8.2A TO220 تحقيق
PTFA072401FL-V5-R250 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 تحقيق
CGHV1J070D-GP4 Image CGHV1J070D-GP4 RF MOSFET HEMT 40V DIE تحقيق
C2M0080170P Image C2M0080170P ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS تحقيق
C3D04060E Image C3D04060E DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2 تحقيق
CGH09120F Image CGH09120F RF MOSFET HEMT 28V 440095 تحقيق
PTFB210801FA-V1-R250 Image PTFB210801FA-V1-R250 FET RF LDMOS 80W H37265-2 تحقيق
C3D03060A Image C3D03060A DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2 تحقيق
C3M0280090J Image C3M0280090J MOSFET N-CH 900V 11A تحقيق
PTFC262808FV-V1-R0 RF MOSFET TRANSISTORS تحقيق
CGH40025F Image CGH40025F RF MOSFET HEMT 28V 440166 تحقيق
CGH60008D-GP4 Image CGH60008D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE تحقيق
PTFB201402FC-V2-R250 LDMOS FET 140W, 2010 - 2025MHZ تحقيق
CPW3-1700-S010B-WP Image CPW3-1700-S010B-WP DIODE SILICON 1.7KV 10A CHIP تحقيق
PTFC262157FH-V1-R0 RF MOSFET TRANSISTORS تحقيق
C4D40120D Image C4D40120D DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 تحقيق
CPW2-1200-S010B-FR1 DIODE SCHOTTKY 1200V 10A تحقيق
GTVA261701FA-V1-R0 GAN SIC تحقيق
CCS050M12CM2 Image CCS050M12CM2 MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE تحقيق
PTFA080551F-V4-R0 RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2 تحقيق
PTFA092201E-V4-R250 Image PTFA092201E-V4-R250 FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 تحقيق
C2M1000170J-TR Image C2M1000170J-TR MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 تحقيق
PXAC261212FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
CGH60120D-GP4 Image CGH60120D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE تحقيق
CGHV96100F2 Image CGHV96100F2 RF MOSFET HEMT 40V 440210 تحقيق
C3D02060E Image C3D02060E DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO252-2 تحقيق
PTFB182503FL-V2-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
C4D02120A Image C4D02120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220-2 تحقيق
PTFB210801FA-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37265-2 تحقيق
PTFC262808FV-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
سجلات 391
سابق12345678التالينهاية