بطاقة خط

Cree Wolfspeed

Cree Wolfspeed

- تعرف الآن قوة Cree وقسم RF باسم Wolfspeed، A Cree Company. تقوم Wolfspeed بتحرير الطاقة والأنظمة اللاسلكية من قيود السليكون عن طريق قيادة الابتكار وتسويق أنظمة الجيل التالي القائمة على كربيد السيليكون ونيتريد الغاليوم.
صورة رقم القطعة وصف رأي
C3D06060G-TR Image C3D06060G-TR DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2 تحقيق
CGHV27060MP Image CGHV27060MP RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP تحقيق
CPW2-1200-S005B DIODE SCHOTTKY 1200V 5A تحقيق
CPW2-1200-S005B-FR1 DIODE SCHOTTKY 1200V 5A تحقيق
C3M0280090D Image C3M0280090D MOSFET N-CH 900V 11.5A تحقيق
PXAC241002FC-V1-R2 RF FET LDMOS تحقيق
PTFA080551F-V4-R250 Image PTFA080551F-V4-R250 IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 تحقيق
PXAD214218FV-V1-R2 IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 تحقيق
CGHV50200F Image CGHV50200F RF MOSFET HEMT 40V 440217 تحقيق
PTFB211503EL-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
CGH55030F1 Image CGH55030F1 RF MOSFET HEMT 28V 440166 تحقيق
PTFB090901FA-V2-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTVA035002EV-V1-R250 RF LDMOS FET 500W, 390 - 450MHZ تحقيق
C3D08060G Image C3D08060G DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO263-2 تحقيق
C4D15120D Image C4D15120D DIODE SCHOTTKY 1.2KV 24.5A TO247 تحقيق
PTFB092707FH-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
E3M0280090D Image E3M0280090D E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC تحقيق
C4D10120E-TR Image C4D10120E-TR DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2 تحقيق
C3D04060F Image C3D04060F DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-F2 تحقيق
CGH60060D-GP4 Image CGH60060D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE تحقيق
PTFB213004F-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-37275-6 تحقيق
PTFC210202FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
CG2H40010F Image CG2H40010F RF MOSFET HEMT 28V 440166 تحقيق
C3D16060D Image C3D16060D DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247 تحقيق
CGH27030F Image CGH27030F RF MOSFET HEMT 28V 440166 تحقيق
C3D16065A Image C3D16065A DIODE SCHOTTKY 650V 39A TO220-2 تحقيق
CGHV14800F Image CGHV14800F RF MOSFET HEMT 50V 440117 تحقيق
PTVA123501FC-V1-R0 Image PTVA123501FC-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37248-2 تحقيق
CG2H40045F Image CG2H40045F RF MOSFET HEMT 28V 440193 تحقيق
PTFB211503FL-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-34288-4 تحقيق
PXAC201602FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
C3M0030090K Image C3M0030090K ZFET 900V, 30 MOHM, G3 SIC MOSFE تحقيق
C4D02120E Image C4D02120E DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO252-2 تحقيق
C2D05120E DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252 تحقيق
PTAC240502FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTFC260202FC-V1 IC AMP RF LDMOS تحقيق
C3D06065E DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2 تحقيق
PTFA041501F-V4-R250 Image PTFA041501F-V4-R250 FET RF LDMOS 150W H37248-2 تحقيق
C3D03060E-TR Image C3D03060E-TR DIODE SCHOTTKY 600V 11.5A TO252 تحقيق
PTFA220121M-V4 FET RF LDMOS 10W SON10 تحقيق
C3M0075120J Image C3M0075120J MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 تحقيق
PTVA042502FC-V1-R0 Image PTVA042502FC-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37248-4 تحقيق
C3D20065D Image C3D20065D DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247 تحقيق
PTRA093608PV1-V1-R2 RF MOSFET LDMOS LG-31275PS-6 تحقيق
PTFB183404F-V2-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTFB181702FC-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37248-4 تحقيق
C3D04065E DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO252-2 تحقيق
C3D06065A Image C3D06065A DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2 تحقيق
PTAB182002FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
E3M0120090D Image E3M0120090D E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC تحقيق
سجلات 391
سابق12345678التالينهاية