E3M0120090D متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل E3M0120090D، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل E3M0120090D عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء E3M0120090D مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
E3M0120090D
- رقم القطعة:
- E3M0120090D
- الصانع:
- Cree Wolfspeed
- وصف:
- E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC
- حالة خالية من الرصاص:
- بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28330 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- E3M0120090D.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 3mA |
| فغس (ماكس): | +18V, -8V |
| تكنولوجيا: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, E |
| بنفايات الحالة: | RoHS Compliant |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 97W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 350pF @ 600V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17.3nC @ 15V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 15V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 900V 23A (Tc) 97W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 23A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لE3M0120090D
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل