E3M0120090D è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per E3M0120090D, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per E3M0120090D via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista E3M0120090D con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
E3M0120090D
- Modello di prodotti:
- E3M0120090D
- fabbricante:
- Cree Wolfspeed
- Descrizione:
- E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC
- Stato senza piombo:
- A norma RoHS
- Quantità di magazzino:
- 28330 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- E3M0120090D.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 3mA |
| Vgs (Max): | +18V, -8V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247-3 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, E |
| Stato RoHS: | RoHS Compliant |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| Dissipazione di potenza (max): | 97W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 600V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.3nC @ 15V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 900V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 900V 23A (Tc) 97W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 23A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per E3M0120090D
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi