Kartu garis
| Gambar | Nomor bagian | Deskripsi | Melihat |
|---|---|---|---|
 |
CAS100H12AM1 | MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE | Penyelidikan |
 |
C3D04060E-TR | DIODE SCHOTTKY 600V 15.5A TO252 | Penyelidikan |
 |
C3D10065A | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | Penyelidikan |
 |
C2M0025120D | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247 | Penyelidikan |
|
C2M0160120D | MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247 | Penyelidikan |
 |
PTFC262157SH-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
|
PTFC261402FC-V1 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
 |
CGHV40050F | RF MOSFET HEMT 50V 440193 | Penyelidikan |
|
C3D04065E-TR | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO252 | Penyelidikan |
 |
C3M0065090J | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | Penyelidikan |
|
C3M0120090J-TR | MOSFET N-CH 900V 22A | Penyelidikan |
 |
CGHV60040D-GP4 | RF MOSFET HEMT 50V DIE | Penyelidikan |
 |
PTFA211801E-V5-R250 | FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2 | Penyelidikan |
|
PXAC201202FC-V2-R0 | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | Penyelidikan |
 |
CGHV60170D-GP4 | RF MOSFET HEMT 50V DIE | Penyelidikan |
|
C2D10120A | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | Penyelidikan |
|
PTFA041501F-V4-R0 | RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-2 | Penyelidikan |
 |
C3D25170H | DIODE SCHOTTKY 1.7KV 26.3A TO247 | Penyelidikan |
|
C4D10120D | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | Penyelidikan |
|
PTFB091802FC-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | Penyelidikan |
|
C4D05120A | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8.2A TO220 | Penyelidikan |
|
PTFA072401FL-V5-R250 | RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | Penyelidikan |
 |
CGHV1J070D-GP4 | RF MOSFET HEMT 40V DIE | Penyelidikan |
 |
C2M0080170P | ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS | Penyelidikan |
 |
C3D04060E | DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2 | Penyelidikan |
 |
CGH09120F | RF MOSFET HEMT 28V 440095 | Penyelidikan |
 |
PTFB210801FA-V1-R250 | FET RF LDMOS 80W H37265-2 | Penyelidikan |
|
C3D03060A | DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2 | Penyelidikan |
|
C3M0280090J | MOSFET N-CH 900V 11A | Penyelidikan |
|
PTFC262808FV-V1-R0 | RF MOSFET TRANSISTORS | Penyelidikan |
 |
CGH40025F | RF MOSFET HEMT 28V 440166 | Penyelidikan |
 |
CGH60008D-GP4 | RF MOSFET HEMT 28V DIE | Penyelidikan |
|
PTFB201402FC-V2-R250 | LDMOS FET 140W, 2010 - 2025MHZ | Penyelidikan |
 |
CPW3-1700-S010B-WP | DIODE SILICON 1.7KV 10A CHIP | Penyelidikan |
|
PTFC262157FH-V1-R0 | RF MOSFET TRANSISTORS | Penyelidikan |
|
C4D40120D | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | Penyelidikan |
|
CPW2-1200-S010B-FR1 | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A | Penyelidikan |
|
GTVA261701FA-V1-R0 | GAN SIC | Penyelidikan |
 |
CCS050M12CM2 | MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE | Penyelidikan |
|
PTFA080551F-V4-R0 | RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2 | Penyelidikan |
|
PTFA092201E-V4-R250 | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 | Penyelidikan |
 |
C2M1000170J-TR | MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 | Penyelidikan |
|
PXAC261212FC-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
 |
CGH60120D-GP4 | RF MOSFET HEMT 28V DIE | Penyelidikan |
 |
CGHV96100F2 | RF MOSFET HEMT 40V 440210 | Penyelidikan |
|
C3D02060E | DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO252-2 | Penyelidikan |
|
PTFB182503FL-V2-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
|
C4D02120A | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220-2 | Penyelidikan |
|
PTFB210801FA-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-37265-2 | Penyelidikan |
|
PTFC262808FV-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
catatan 391