C2M0080170P متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل C2M0080170P، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل C2M0080170P عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء C2M0080170P مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
C2M0080170P
- رقم القطعة:
- C2M0080170P
- الصانع:
- Cree Wolfspeed
- وصف:
- ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
- كمية المخزون:
- 37672 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- C2M0080170P.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 10mA |
| فغس (ماكس): | +25V, -10V |
| تكنولوجيا: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-4L |
| سلسلة: | C2M™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 125 mOhm @ 28A, 20V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 277W (Tc) |
| حزمة / كيس: | TO-247-4 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | Not Applicable |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2250pF @ 1000V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 120nC @ 20V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 20V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1700V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 1700V 40A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لC2M0080170P
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار