GP1M009A090N hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho GP1M009A090N, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho GP1M009A090N qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua GP1M009A090N với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
GP1M009A090N
- Số Phần:
- GP1M009A090N
- nhà chế tạo:
- Global Power Technologies Group
- Sự miêu tả:
- MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
- Tình trạng không có chì:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng cổ phiếu:
- 37788 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- GP1M009A090N.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Tối đa): | ±30V |
| Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-3PN |
| Loạt: | - |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 1.4 Ohm @ 4.75A, 10V |
| Điện cực phân tán (Max): | 312W (Tc) |
| Bao bì: | Tube |
| Gói / Case: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Vài cái tên khác: | 1560-1174-1 1560-1174-1-ND 1560-1174-5 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 2324pF @ 25V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 65nC @ 10V |
| Loại FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 900V |
| miêu tả cụ thể: | N-Channel 900V 9.5A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 9.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho GP1M009A090N
Latest Tin tức
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới
- Báo cáo tài chính quý đầu tiên của bộ bán dẫn SEF (ST) giảm và nhu cầu về ô tô đã làm chậm
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới
- Khối lượng chip trưởng thành cục bộ, công suất sản xuất bộ nhớ flash samsung nand gần tải
- Vishay ra mắt bao bì Miniled độ sáng cao Đèn LED nhỏ màu xanh và màu xanh lá cây tinh khiết
- Ansonmei đã đưa ra một cảm biến vị trí cảm ứng cho thị trường công nghiệp và giao thông
- Ruisa bắt đầu nhà máy cũ để tăng thiết bị điện, trận động đất ảnh hưởng đến sản lượng DRAM
- Microchip cho phép năng lực sản xuất của TSMC và tăng giá
- Ruisa đã ra mắt mục RA0 Sê -ri mới
- Melexis ra mắt một con chip chuyển đổi cuộn cảm đầy đủ
- X-Fab giới thiệu công nghệ chiếu sáng cảm biến hình ảnh để tăng cường hiệu suất cảm biến CMOS
- Nhà máy chip lớn bị ảnh hưởng bởi trận động đất: TSMC ngừng hoạt động khẩn cấp, làm trầm trọng thêm nguồn cung GPU trong nguồn cung ngắn?