GP1M010A080FH
GP1M010A080FH
Số Phần:
GP1M010A080FH
nhà chế tạo:
Global Power Technologies Group
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
53160 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
GP1M010A080FH.pdf

Giới thiệu

GP1M010A080FH hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho GP1M010A080FH, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho GP1M010A080FH qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua GP1M010A080FH với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220F
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Điện cực phân tán (Max):48W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack
Vài cái tên khác:1560-1176-1
1560-1176-1-ND
1560-1176-5
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2336pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):800V
miêu tả cụ thể:N-Channel 800V 9.5A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận

Latest Tin tức