71V65603S150BG hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho 71V65603S150BG, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 71V65603S150BG qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 71V65603S150BG với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
71V65603S150BG
- Số Phần:
- 71V65603S150BG
- nhà chế tạo:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Sự miêu tả:
- IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
- Tình trạng không có chì:
- Chứa chì / RoHS không tuân thủ
- Số lượng cổ phiếu:
- 58117 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- 71V65603S150BG.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang: | - |
| Voltage - Cung cấp: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Công nghệ: | SRAM - Synchronous ZBT |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 119-PBGA (14x22) |
| Loạt: | - |
| Bao bì: | Tray |
| Gói / Case: | 119-BGA |
| Vài cái tên khác: | IDT71V65603S150BG IDT71V65603S150BG-ND |
| Nhiệt độ hoạt động: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Loại bộ nhớ: | Volatile |
| Kích thước bộ nhớ: | 9Mb (256K x 36) |
| Giao diện bộ nhớ: | Parallel |
| Định dạng bộ nhớ: | SRAM |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 10 Weeks |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| miêu tả cụ thể: | SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 150MHz 3.8ns 119-PBGA (14x22) |
| Tần số đồng hồ: | 150MHz |
| Số phần cơ sở: | IDT71V65603 |
| Thời gian truy cập: | 3.8ns |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho 71V65603S150BG
Latest Tin tức
- Moels Micro Electronics đã thành lập một văn phòng mới ở Đài Loan, Trung Quốc để mở rộng lãnh thổ kinh doanh
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới
- Báo cáo tài chính quý đầu tiên của bộ bán dẫn SEF (ST) giảm và nhu cầu về ô tô đã làm chậm
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới
- Khối lượng chip trưởng thành cục bộ, công suất sản xuất bộ nhớ flash samsung nand gần tải
- Vishay ra mắt bao bì Miniled độ sáng cao Đèn LED nhỏ màu xanh và màu xanh lá cây tinh khiết
- Ansonmei đã đưa ra một cảm biến vị trí cảm ứng cho thị trường công nghiệp và giao thông
- Ruisa bắt đầu nhà máy cũ để tăng thiết bị điện, trận động đất ảnh hưởng đến sản lượng DRAM
- Microchip cho phép năng lực sản xuất của TSMC và tăng giá
- Ruisa đã ra mắt mục RA0 Sê -ri mới
- Melexis ra mắt một con chip chuyển đổi cuộn cảm đầy đủ
- X-Fab giới thiệu công nghệ chiếu sáng cảm biến hình ảnh để tăng cường hiệu suất cảm biến CMOS