71V65603S133BQ hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho 71V65603S133BQ, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 71V65603S133BQ qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 71V65603S133BQ với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
71V65603S133BQ
- Số Phần:
- 71V65603S133BQ
- nhà chế tạo:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Sự miêu tả:
- IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
- Tình trạng không có chì:
- Chứa chì / RoHS không tuân thủ
- Số lượng cổ phiếu:
- 43698 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- 71V65603S133BQ.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang: | - |
| Voltage - Cung cấp: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Công nghệ: | SRAM - Synchronous ZBT |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 165-CABGA (13x15) |
| Loạt: | - |
| Bao bì: | Tray |
| Gói / Case: | 165-TBGA |
| Vài cái tên khác: | IDT71V65603S133BQ IDT71V65603S133BQ-ND |
| Nhiệt độ hoạt động: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Loại bộ nhớ: | Volatile |
| Kích thước bộ nhớ: | 9Mb (256K x 36) |
| Giao diện bộ nhớ: | Parallel |
| Định dạng bộ nhớ: | SRAM |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 10 Weeks |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| miêu tả cụ thể: | SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 165-CABGA (13x15) |
| Tần số đồng hồ: | 133MHz |
| Số phần cơ sở: | IDT71V65603 |
| Thời gian truy cập: | 4.2ns |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho 71V65603S133BQ
Latest Tin tức
- Vishay ra mắt bao bì Miniled độ sáng cao Đèn LED nhỏ màu xanh và màu xanh lá cây tinh khiết
- Ansonmei đã đưa ra một cảm biến vị trí cảm ứng cho thị trường công nghiệp và giao thông
- Ruisa bắt đầu nhà máy cũ để tăng thiết bị điện, trận động đất ảnh hưởng đến sản lượng DRAM
- Microchip cho phép năng lực sản xuất của TSMC và tăng giá
- Ruisa đã ra mắt mục RA0 Sê -ri mới
- Melexis ra mắt một con chip chuyển đổi cuộn cảm đầy đủ
- X-Fab giới thiệu công nghệ chiếu sáng cảm biến hình ảnh để tăng cường hiệu suất cảm biến CMOS
- Nhà máy chip lớn bị ảnh hưởng bởi trận động đất: TSMC ngừng hoạt động khẩn cấp, làm trầm trọng thêm nguồn cung GPU trong nguồn cung ngắn?
- Bộ nhớ flash NAND tiếp tục, MCU Destocking bottom là đúng
- Dưới cửa hàng AI Air, hai người khổng lồ chip chính là "không mạnh": phá vỡ tiền để phá vỡ trò chơi, đặt cược vào năm 2025 các trận chiến đội
- Toshiba ra mắt trình điều khiển cổng sê -ri SmartMCD IC với bộ vi điều khiển nhúng
- Samsung: Đối mặt với thách thức của hai lĩnh vực chính, gây quỹ để phá vỡ tình hình