TPN22006NH,LQ
TPN22006NH,LQ
型號:
TPN22006NH,LQ
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
38311 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
TPN22006NH,LQ.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 100µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-TSON Advance (3.3x3.3)
系列:U-MOSVIII-H
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:22 mOhm @ 4.5A, 10V
功率耗散(最大):700mW (Ta), 18W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-PowerVDFN
其他名稱:TPN22006NH,LQ(S
TPN22006NHLQ
TPN22006NHLQTR
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:710pF @ 30V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:12nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):6.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):60V
詳細說明:N-Channel 60V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
電流 - 25°C連續排水(Id):9A (Ta)
Email:[email protected]

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