TPN1600ANH,L1Q
TPN1600ANH,L1Q
型號:
TPN1600ANH,L1Q
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
24604 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
TPN1600ANH,L1Q.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 200µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-TSON Advance (3.3x3.3)
系列:U-MOSVIII-H
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:16 mOhm @ 8.5A, 10V
功率耗散(最大):700mW (Ta), 42W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:8-PowerVDFN
其他名稱:TPN1600ANHL1QCT
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1600pF @ 50V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:19nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
詳細說明:N-Channel 100V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
電流 - 25°C連續排水(Id):17A (Tc)
Email:[email protected]

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