SQJ422EP-T1_GE3
SQJ422EP-T1_GE3
型號:
SQJ422EP-T1_GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
54770 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
SQJ422EP-T1_GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:3.4 mOhm @ 18A, 10V
功率耗散(最大):83W (Tc)
封装:Original-Reel®
封裝/箱體:PowerPAK® SO-8
其他名稱:SQJ422EP-T1_GE3DKR
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:4660pF @ 20V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:100nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):40V
詳細說明:N-Channel 40V 74A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount
電流 - 25°C連續排水(Id):74A (Tc)
Email:[email protected]

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