SISS98DN-T1-GE3
SISS98DN-T1-GE3
型號:
SISS98DN-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
53690 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
SISS98DN-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
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VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PowerPAK® 1212-8
系列:ThunderFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:105 mOhm @ 7A, 10V
功率耗散(最大):57W (Tc)
封装:Original-Reel®
封裝/箱體:PowerPAK® 1212-8
其他名稱:SISS98DN-T1-GE3DKR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:608pF @ 100V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:14nC @ 7.5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):7.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):200V
詳細說明:N-Channel 200V 14.1A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
電流 - 25°C連續排水(Id):14.1A (Tc)
Email:[email protected]

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