SIHP24N65E-GE3
SIHP24N65E-GE3
型號:
SIHP24N65E-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
37532 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
1.SIHP24N65E-GE3.pdf2.SIHP24N65E-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-220AB
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:145 mOhm @ 12A, 10V
功率耗散(最大):250W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-220-3
其他名稱:SIHP24N65E-GE3CT
SIHP24N65E-GE3CT-ND
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:2740pF @ 100V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:122nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):650V
詳細說明:N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
電流 - 25°C連續排水(Id):24A (Tc)
Email:[email protected]

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