SI5475BDC-T1-GE3現在可以使用！LYNTEAM技術是SI5475BDC-T1-GE3的庫存分配器，我們擁有立即運輸的庫存，也可用於很長的時間。請通過電子郵件向我們發送您的SI5475BDC-T1-GE3購買計劃，我們將根據您的計劃為您提供最優惠的價格。
用LYNTEAM購買SI5475BDC-T1-GE3，省錢和時間。
我們的電子郵件：[email protected]
SI5475BDC-T1-GE3
- 型號:
- SI5475BDC-T1-GE3
- 描述:
- MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
- 無鉛狀態:
- 無鉛/符合RoHS
- 庫存數量:
- 34438 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
- 交貨時間:
- 4-8 weeks
簡單介紹
產品特性
| 狀況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原產地 | Contact us |
| 標記代碼 | Send by email |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | 1206-8 ChipFET™ |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 28 mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| 功率耗散（最大）: | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | 8-SMD, Flat Lead |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1400pF @ 6V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 40nC @ 8V |
| FET型: | P-Channel |
| FET特點: | - |
| 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）: | 1.8V, 4.5V |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | 12V |
| 詳細說明: | P-Channel 12V 6A (Ta) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
