SI4884BDY-T1-GE3
型號:
SI4884BDY-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
58019 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
SI4884BDY-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-SO
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:9 mOhm @ 10A, 10V
功率耗散(最大):2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1525pF @ 15V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:35nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
詳細說明:N-Channel 30V 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SO
電流 - 25°C連續排水(Id):16.5A (Tc)
Email:[email protected]

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