RN4610(TE85L,F)
RN4610(TE85L,F)
型號:
RN4610(TE85L,F)
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
58529 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
RN4610(TE85L,F).pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
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電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:300mV @ 250µA, 5mA
晶體管類型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供應商設備封裝:SM6
系列:-
電阻器 - 發射器底座(R2):-
電阻器 - 基座(R1):4.7 kOhms
功率 - 最大:300mW
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:SC-74, SOT-457
其他名稱:RN4610(TE85LF)CT
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
頻率 - 轉換:200MHz
詳細說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:120 @ 1mA, 5V
電流 - 集電極截止(最大):100nA (ICBO)
電流 - 集電極(Ic)(最大):100mA
Email:[email protected]

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