RN1103MFV,L3F
RN1103MFV,L3F
型號:
RN1103MFV,L3F
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
50283 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
RN1103MFV,L3F.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:300mV @ 500µA, 5mA
晶體管類型:NPN - Pre-Biased
供應商設備封裝:VESM
系列:-
電阻器 - 發射器底座(R2):22 kOhms
電阻器 - 基座(R1):22 kOhms
功率 - 最大:150mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SOT-723
其他名稱:RN1103MFV,L3F(B
RN1103MFV,L3F(T
RN1103MFVL3F
RN1103MFVL3FTR
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
詳細說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:70 @ 10mA, 5V
電流 - 集電極截止(最大):500nA
電流 - 集電極(Ic)(最大):100mA
Email:[email protected]

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