PDTD113ES,126
PDTD113ES,126
型號:
PDTD113ES,126
製造商:
NXP Semiconductors / Freescale
描述:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
31685 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
PDTD113ES,126.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:300mV @ 2.5mA, 50mA
晶體管類型:NPN - Pre-Biased
供應商設備封裝:TO-92-3
系列:-
電阻器 - 發射器底座(R2):1 kOhms
電阻器 - 基座(R1):1 kOhms
功率 - 最大:500mW
封装:Tape & Box (TB)
封裝/箱體:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
其他名稱:934059141126
PDTD113ES AMO
PDTD113ES AMO-ND
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
詳細說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:33 @ 50mA, 5V
電流 - 集電極截止(最大):500nA
電流 - 集電極(Ic)(最大):500mA
基礎部件號:PDTD113
Email:[email protected]

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