NTD60N02R-35G
NTD60N02R-35G
型號:
NTD60N02R-35G
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
58375 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
NTD60N02R-35G.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:2V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:I-PAK
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:10.5 mOhm @ 20A, 10V
功率耗散(最大):1.25W (Ta), 58W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-251-3 Stub Leads, IPak
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1330pF @ 20V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:14nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):25V
詳細說明:N-Channel 25V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Through Hole I-PAK
電流 - 25°C連續排水(Id):8.5A (Ta), 32A (Tc)
Email:[email protected]

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