MB85R256FPF-G-BND-ERE1現在可以使用！LYNTEAM技術是MB85R256FPF-G-BND-ERE1的庫存分配器，我們擁有立即運輸的庫存，也可用於很長的時間。請通過電子郵件向我們發送您的MB85R256FPF-G-BND-ERE1購買計劃，我們將根據您的計劃為您提供最優惠的價格。
用LYNTEAM購買MB85R256FPF-G-BND-ERE1，省錢和時間。
我們的電子郵件：[email protected]
MB85R256FPF-G-BND-ERE1
- 型號:
- MB85R256FPF-G-BND-ERE1
- 描述:
- IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
- 無鉛狀態:
- 無鉛/符合RoHS
- 庫存數量:
- 24727 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
- 交貨時間:
- 4-8 weeks
簡單介紹
產品特性
| 狀況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原產地 | Contact us |
| 標記代碼 | Send by email |
| 寫週期時間 - 字，頁: | 150ns |
| 電壓 - 電源: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 技術: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 供應商設備封裝: | 28-SOP |
| 系列: | - |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 工作溫度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| 內存類型: | Non-Volatile |
| 內存大小: | 256Kb (32K x 8) |
| 內存接口: | Parallel |
| 內存格式: | FRAM |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
| 詳細說明: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns 28-SOP |
| 訪問時間: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
MB85R256FPF-G-BND-ERE1的相似型號
最新資訊
- 德州仪器业绩仍待提振、两存储大厂推新闪存产品
- 本土成熟制程芯片放量、三星NAND闪存产能近满载
- Vishay推出MiniLED封装高亮度小型蓝色和纯绿色LED
- 安森美推出适用于工业和交通市场的电感式位置传感器
- 瑞萨启动旧厂增产功率器件、地震影响DRAM产出轻微
- Microchip启用台积电熊本厂产能、美光产品传涨价
- 瑞萨推出全新RA0系列超低功耗入门级MCU
- Melexis推出全集成电感式开关芯片
- X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能
- 芯片大厂受地震影响传回：台积电紧急停工，加剧GPU供不应求？
- NAND闪存涨势延续、MCU去库存落底在即
- AI风口下，两大芯片巨头“不给力”：砸钱破局，押注2025团战