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首  頁 > 產品展示 > 分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單 > IXTY08N100D2
IXTY08N100D2
型號:
IXTY08N100D2
製造商:
IXYS Corporation
描述:
MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
23320 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
IXTY08N100D2.pdf
在線詢價

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS（TH）（最大）@標識:-
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-252, (D-Pak)
系列:-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:21 Ohm @ 400mA, 0V
功率耗散（最大）:60W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:24 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:325pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:14.6nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特點:Depletion Mode
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:-
漏極至源極電壓（Vdss）:1000V
詳細說明:N-Channel 1000V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
電流 - 25°C連續排水（Id）:800mA (Tc)
Email:[email protected]

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