IRF6619TR1PBF
IRF6619TR1PBF
型號:
IRF6619TR1PBF
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
27342 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
IRF6619TR1PBF.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:2.45V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:DIRECTFET™ MX
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:2.2 mOhm @ 30A, 10V
功率耗散(最大):2.8W (Ta), 89W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:DirectFET™ Isometric MX
其他名稱:IRF6619TR1PBFCT
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:5040pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:57nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
詳細說明:N-Channel 20V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
電流 - 25°C連續排水(Id):30A (Ta), 150A (Tc)
Email:[email protected]

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