IPB035N08N3 G
IPB035N08N3 G
型號:
IPB035N08N3 G
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
59792 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
IPB035N08N3 G.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
電壓 - 測試:8110pF @ 40V
電壓 - 擊穿:PG-TO263-2
VGS(TH)(最大)@標識:3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(最大):6V, 10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
系列:OptiMOS™
RoHS狀態:Digi-Reel®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:100A (Tc)
極化:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:IPB035N08N3 GDKR
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:12 Weeks
製造商零件編號:IPB035N08N3 G
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:117nC @ 10V
IGBT類型:±20V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:3.5V @ 155µA
FET特點:N-Channel
展開說明:N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
漏極至源極電壓(Vdss):-
描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
電流 - 25°C連續排水(Id):80V
電容比:214W (Tc)
Email:[email protected]

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