IPB035N08N3 G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IPB035N08N3 G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IPB035N08N3 G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IPB035N08N3 G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IPB035N08N3 G
- Part Number:
- IPB035N08N3 G
- Popis:
- MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 59792 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IPB035N08N3 G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 8110pF @ 40V |
| Napětí - Rozdělení: | PG-TO263-2 |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (Max): | 6V, 10V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | OptiMOS™ |
| Stav RoHS: | Digi-Reel® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 100A (Tc) |
| Polarizace: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ostatní jména: | IPB035N08N3 GDKR |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IPB035N08N3 G |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 117nC @ 10V |
| Typ IGBT: | ±20V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.5V @ 155µA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Rozšířený popis: | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | - |
| Popis: | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 80V |
| kapacitní Ratio: | 214W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IPB035N08N3 G
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný