HGTP10N120BN
型號:
HGTP10N120BN
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
39745 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
1.HGTP10N120BN.pdf2.HGTP10N120BN.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1200V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.7V @ 15V, 10A
測試條件:960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Td(開/關)@ 25°C:23ns/165ns
開關能量:320µJ (on), 800µJ (off)
供應商設備封裝:TO-220AB
系列:-
功率 - 最大:298W
封装:Tube
封裝/箱體:TO-220-3
其他名稱:HGTP10N120BN-ND
HGTP10N120BNFS
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入類型:Standard
IGBT類型:NPT
柵極電荷:100nC
詳細說明:IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-220AB
電流 - 集電極脈衝(ICM):80A
電流 - 集電極(Ic)(最大):35A
Email:[email protected]

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