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HGTP10N120BN
- Modelo do Produto:
- HGTP10N120BN
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 39745 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.HGTP10N120BN.pdf2.HGTP10N120BN.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.7V @ 15V, 10A |
| Condição de teste: | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 23ns/165ns |
| Alternando Energia: | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220AB |
| Série: | - |
| Power - Max: | 298W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Outros nomes: | HGTP10N120BN-ND HGTP10N120BNFS |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | NPT |
| portão de carga: | 100nC |
| Descrição detalhada: | IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-220AB |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 80A |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 35A |
| Email: | [email protected] |
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