GP2M002A060PG
GP2M002A060PG
型號:
GP2M002A060PG
製造商:
Global Power Technologies Group
描述:
MOSFET N-CH 600V 2A
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
54997 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
GP2M002A060PG.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:5V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:I-PAK
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:4 Ohm @ 1A, 10V
功率耗散(最大):52.1W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:360pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:9nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):600V
詳細說明:N-Channel 600V 2A (Tc) 52.1W (Tc) Through Hole I-PAK
電流 - 25°C連續排水(Id):2A (Tc)
Email:[email protected]

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