FQB4N20LTM
FQB4N20LTM
型號:
FQB4N20LTM
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
44884 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
FQB4N20LTM.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:2V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:D²PAK (TO-263AB)
系列:QFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
功率耗散(最大):3.13W (Ta), 45W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:310pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:5.2nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):200V
詳細說明:N-Channel 200V 3.8A (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
電流 - 25°C連續排水(Id):3.8A (Tc)
Email:[email protected]

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