FDV302P-NB8V001
型號:
FDV302P-NB8V001
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
50307 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
1.FDV302P-NB8V001.pdf2.FDV302P-NB8V001.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:1.5V @ 250µA
Vgs(最大):-8V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:SOT-23
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:10 Ohm @ 200mA, 4.5V
功率耗散(最大):350mW (Ta)
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名稱:FDV302P-NB8V001CT
FDV302P_NB8V001CT
FDV302P_NB8V001CT-ND
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:11pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:0.31nC @ 4.5V
FET型:P-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):2.7V, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):25V
詳細說明:P-Channel 25V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
電流 - 25°C連續排水(Id):120mA (Ta)
Email:[email protected]

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