FDP047AN08A0
型號:
FDP047AN08A0
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
37170 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
1.FDP047AN08A0.pdf2.FDP047AN08A0.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-220-3
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:4.7 mOhm @ 80A, 10V
功率耗散(最大):310W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-220-3
其他名稱:FDP047AN08A0-ND
FDP047AN08A0FS
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:6600pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:138nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):6V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):75V
詳細說明:N-Channel 75V 15A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
電流 - 25°C連續排水(Id):15A (Tc)
Email:[email protected]

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