FDD18N20LZ
型號:
FDD18N20LZ
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 200V DPAK-3
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
25124 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
FDD18N20LZ.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
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VGS(TH)(最大)@標識:2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:D-Pak
系列:UniFET™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:125 mOhm @ 8A, 10V
功率耗散(最大):89W (Tc)
封装:Original-Reel®
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:FDD18N20LZDKR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:19 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1575pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:40nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):200V
詳細說明:N-Channel 200V 16A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
電流 - 25°C連續排水(Id):16A (Tc)
Email:[email protected]

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