DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7
型號:
DMG6601LVT-7
製造商:
Diodes Incorporated
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
22937 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
DMG6601LVT-7.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:1.5V @ 250µA
供應商設備封裝:TSOT-26
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:55 mOhm @ 3.4A, 10V
功率 - 最大:850mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
其他名稱:DMG6601LVT-7DITR
DMG6601LVT7
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:32 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:422pF @ 15V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:12.3nC @ 10V
FET型:N and P-Channel
FET特點:Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss):30V
詳細說明:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
電流 - 25°C連續排水(Id):3.8A, 2.5A
基礎部件號:DMG6601
Email:[email protected]

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