DMG6601LVT-7 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для DMG6601LVT-7, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для DMG6601LVT-7 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить DMG6601LVT-7 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
DMG6601LVT-7
- Тип продуктов:
- DMG6601LVT-7
- производитель:
- Diodes Incorporated
- Описание:
- MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 22937 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- DMG6601LVT-7.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Поставщик Упаковка устройства: | TSOT-26 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Мощность - Макс: | 850mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Другие названия: | DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 32 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 422pF @ 15V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 12.3nC @ 10V |
| Тип FET: | N and P-Channel |
| FET Характеристика: | Logic Level Gate |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 30V |
| Подробное описание: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 3.8A, 2.5A |
| Номер базового номера: | DMG6601 |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для DMG6601LVT-7
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки