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狀況 | New & Original, tested |
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原產地 | Contact us |
標記代碼 | Send by email |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 300mV @ 500µA, 10mA |
晶體管類型: | NPN - Pre-Biased |
供應商設備封裝: | PG-TSLP-3-4 |
系列: | - |
電阻器 - 發射器底座(R2): | 4.7 kOhms |
電阻器 - 基座(R1): | 4.7 kOhms |
功率 - 最大: | 250mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SC-101, SOT-883 |
其他名稱: | BCR 112L3 E6327-ND BCR112L3E6327 BCR112L3E6327XT SP000014852 |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換: | 140MHz |
詳細說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3-4 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 20 @ 5mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |
基礎部件號: | BCR112 |
Email: | [email protected] |