SI2399DS-T1-GE3
Parça Numarası:
SI2399DS-T1-GE3
Üretici firma:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Açıklama:
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
Kurşunsuz Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Stok miktarı:
32535 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Teslim süresi:
4-8 weeks
Veri Sayfası:
SI2399DS-T1-GE3.pdf

Giriş

SI2399DS-T1-GE3 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, SI2399DS-T1-GE3 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize SI2399DS-T1-GE3 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
SI2399DS-T1-GE3 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]

Özellikler

Şart New & Original, tested
Menşei ülke Contact us
İşaretleme kodu Send by email
Id @ Vgs (th) (Max):1.5V @ 250µA
Vgs (Maks.):±12V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:SOT-23-3 (TO-236)
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):34 mOhm @ 5.1A, 10V
Güç Tüketimi (Max):1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diğer isimler:SI2399DS-T1-GE3-ND
SI2399DS-T1-GE3TR
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:835pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:20nC @ 4.5V
FET Tipi:P-Channel
FET Özelliği:-
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):2.5V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):20V
Detaylı Açıklama:P-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):6A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar