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SI2399DS-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI2399DS-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 32535 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SI2399DS-T1-GE3.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 34 mOhm @ 5.1A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | SI2399DS-T1-GE3-ND SI2399DS-T1-GE3TR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 835pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 2.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | P-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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