NAND512W3A2DZA6E şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, NAND512W3A2DZA6E için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize NAND512W3A2DZA6E için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
NAND512W3A2DZA6E LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
NAND512W3A2DZA6E
- Parça Numarası:
- NAND512W3A2DZA6E
- Üretici firma:
- Micron Technology
- Açıklama:
- IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 41076 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- NAND512W3A2DZA6E.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Yaz Döngüsü Zamanı - Word, Sayfa: | 50ns |
| Gerilim - Tedarik: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| teknoloji: | FLASH - NAND |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 63-VFBGA (9x11) |
| Dizi: | - |
| paketleme: | Tray |
| Paket / Kutu: | 63-TFBGA |
| Çalışma sıcaklığı: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 3 (168 Hours) |
| bellek Türü: | Non-Volatile |
| Hafıza boyutu: | 512Mb (64M x 8) |
| Bellek Arabirimi: | Parallel |
| Bellek Biçimi: | FLASH |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detaylı Açıklama: | FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 63-VFBGA (9x11) |
| Temel Parça Numarası: | NAND512-A |
| Erişim süresi: | 50ns |
| Email: | [email protected] |
NAND512W3A2DZA6E için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Moels Micro Electronics, Tayvan, Çin'de iş bölgesini genişletmek için yeni bir ofis kurdu
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- Yerel olgun çip hacmi, Samsung Nand yük yakınında flaş bellek üretim kapasitesi
- Vishay, mayınlı ambalajı başlattı Yüksek parlaklık küçük mavi ve saf yeşil led
- Ansonmei, Endüstriyel ve Ulaşım Pazarı için bir endüktif konum sensörü başlattı
- Ruisa, güç cihazını artırmak için eski fabrikayı başlatır, deprem DRAM çıkışını hafifçe etkiler
- Microchip, TSMC'nin üretim kapasitesini sağlar ve fiyat artışlarını artırır
- Ruisa yeni RA0 Serisi Ultra -Low Power Giriş -Level MCU'yu başlattı
- Melexis tam entegre bir indüktör anahtarı çipini başlattı
- X-FAB, CMOS sensörü performansını artırmak için görüntü sensörü geri aydınlatma teknolojisini tanıttı