NAND512W3A2DZA6E
NAND512W3A2DZA6E
Modèle de produit:
NAND512W3A2DZA6E
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
41076 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NAND512W3A2DZA6E.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Écrire le temps de cycle - Word, Page:50ns
Tension - Alimentation:2.7 V ~ 3.6 V
La technologie:FLASH - NAND
Package composant fournisseur:63-VFBGA (9x11)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:63-TFBGA
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:512Mb (64M x 8)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 63-VFBGA (9x11)
Numéro de pièce de base:NAND512-A
Temps d'accès:50ns
Email:[email protected]

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