FG26C0G2J151JNT06 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, FG26C0G2J151JNT06 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize FG26C0G2J151JNT06 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
FG26C0G2J151JNT06 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
FG26C0G2J151JNT06
- Parça Numarası:
- FG26C0G2J151JNT06
- Üretici firma:
- TDK Corporation
- Açıklama:
- CAP CER 150PF 630V C0G RADIAL
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 51101 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- 1.FG26C0G2J151JNT06.pdf2.FG26C0G2J151JNT06.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Gerilim Oylama - AC: | - |
| Gerilim - Anma: | 630V |
| Hata payı: | 150pF |
| Kalınlığı (Max): | C0G, NP0 |
| Dağı Kara Boyutu Yüzey: | 0.197" (5.00mm) |
| Boyut / Boyut: | 0.217" L x 0.138" W (5.50mm x 3.50mm) |
| Dizi: | FG |
| RoHS Durumu: | Tape & Box (TB) |
| Dalgalanma Akımı - Düşük Frekans: | General Purpose |
| Puanlar: | - |
| polarizasyon: | Radial |
| Diğer isimler: | 445-173409 445-173409-3 445-173409-ND |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 125°C |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 18 Weeks |
| Üretici parti numarası: | FG26C0G2J151JNT06 |
| kurşun Stil: | - |
| Yükseklik - Oturmalı (Max): | 0.236" (6.00mm) |
| Özellikler: | - |
| Başarısızlık oranı: | Formed Leads - Kinked |
| Genişletilmiş Açıklama: | 150pF ±5% 630V Ceramic Capacitor C0G, NP0 Radial |
| ESR (Eşdeğer Seri Direnç): | ±5% |
| Açıklama: | CAP CER 150PF 630V C0G RADIAL |
| Email: | [email protected] |
FG26C0G2J151JNT06 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- HBM üretim kapasitesi hariç tutulur, DRAM belleği yılın ikinci yarısında yetersiz olabilir
- Duvar kurucuları bitecek, HBM veya DRAM'ın tekrar yükselmesine neden olacak
- AI cep telefonu ve PC genişleme talebi, küresel yarı iletken üretim endüstrisinin iyileştirilmesi
- Ağ Güvenliği Görüntü Sensörleri için ADAS ve Kabin İzleme Sistemlerinin ihtiyaçlarını anlayın
- Samsung ve SK Hynix'in DDR3'ü durdurduğu ve promosyon alıntısının % 20 arttığı söylentileri var
- Melexis MLX90427: Yeni Seçim, Güvenli, Verimli ve Ekonomik Çizgi Kontrolü yayınladı
- NXP ve Ansonmei'nin finansal raporu duyuruldu ve bakır fiyatlarının fiyatı IC endüstrisine aktarıldı
- Moels Micro Electronics, Tayvan, Çin'de iş bölgesini genişletmek için yeni bir ofis kurdu
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- Yerel olgun çip hacmi, Samsung Nand yük yakınında flaş bellek üretim kapasitesi