Το FG26C0G2J151JNT06 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FG26C0G2J151JNT06, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FG26C0G2J151JNT06 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FG26C0G2J151JNT06 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
FG26C0G2J151JNT06
- Αριθμός εξαρτήματος:
- FG26C0G2J151JNT06
- Κατασκευαστής:
- TDK Corporation
- Περιγραφή:
- CAP CER 150PF 630V C0G RADIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 51101 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.FG26C0G2J151JNT06.pdf2.FG26C0G2J151JNT06.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | - |
| Τάση - Ονομαστική: | 630V |
| Ανοχή: | 150pF |
| Πάχος (Max): | C0G, NP0 |
| Surface Mount Οικόπεδο: | 0.197" (5.00mm) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.217" L x 0.138" W (5.50mm x 3.50mm) |
| Σειρά: | FG |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Box (TB) |
| Ρεύμα ρεύματος - Χαμηλή συχνότητα: | General Purpose |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | Radial |
| Άλλα ονόματα: | 445-173409 445-173409-3 445-173409-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 18 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | FG26C0G2J151JNT06 |
| μόλυβδος Style: | - |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.236" (6.00mm) |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Ποσοστό αποτυχίας: | Formed Leads - Kinked |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 150pF ±5% 630V Ceramic Capacitor C0G, NP0 Radial |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±5% |
| Περιγραφή: | CAP CER 150PF 630V C0G RADIAL |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για FG26C0G2J151JNT06
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο