FGY75N60SMD พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ FGY75N60SMD เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ FGY75N60SMD ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FGY75N60SMD ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
FGY75N60SMD
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- FGY75N60SMD
- ลักษณะ:
- IGBT 600V 150A 750W POWER-247
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 53721 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- FGY75N60SMD.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 600V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 2.5V @ 15V, 75A |
| ทดสอบสภาพ: | 400V, 75A, 3 Ohm, 15V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 24ns/136ns |
| การสลับพลังงาน: | 2.3mJ (on), 770µJ (off) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PowerTO-247-3 |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 55ns |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 750W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 Variant |
| ชื่ออื่น: | FGY75N60SMD-ND FGY75N60SMDFS |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | Field Stop |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 248nC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT Field Stop 600V 150A 750W Through Hole PowerTO-247-3 |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 225A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 150A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FGY75N60SMD
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU