FGY75N60SMD
FGY75N60SMD
Modèle de produit:
FGY75N60SMD
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 150A 750W POWER-247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
53721 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FGY75N60SMD.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 75A
Condition de test:400V, 75A, 3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:24ns/136ns
énergie de commutation:2.3mJ (on), 770µJ (off)
Package composant fournisseur:PowerTO-247-3
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):55ns
Puissance - Max:750W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3 Variant
Autres noms:FGY75N60SMD-ND
FGY75N60SMDFS
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Field Stop
gate charge:248nC
Description détaillée:IGBT Field Stop 600V 150A 750W Through Hole PowerTO-247-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm):225A
Courant - Collecteur (Ic) (max):150A
Email:[email protected]

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