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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT25GR120BSCD10
APT25GR120BSCD10
APT25GR120BSCD10
Modèle de produit:
APT25GR120BSCD10
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 75A 521W TO247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
41386 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APT25GR120BSCD10.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3.2V @ 15V, 25A
Condition de test:600V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:16ns/122ns
énergie de commutation:434µJ (on), 466µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247
Séries:-
Puissance - Max:521W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:NPT
gate charge:203nC
Description détaillée:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm):100A
Courant - Collecteur (Ic) (max):75A
Email:[email protected]

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