APT25GR120BSCD10 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT25GR120BSCD10، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT25GR120BSCD10 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT25GR120BSCD10 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT25GR120BSCD10
- رقم القطعة:
- APT25GR120BSCD10
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 1200V 75A 521W TO247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41386 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT25GR120BSCD10.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.2V @ 15V, 25A |
| اختبار حالة: | 600V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 16ns/122ns |
| تحويل الطاقة: | 434µJ (on), 466µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 521W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 203nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 100A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 75A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT25GR120BSCD10
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT25SM120S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
 |
APT25GN120BG | Microsemi | IGBT 1200V 67A 272W TO247 | تحقيق |
|
APT25GP90BG | Microsemi | IGBT 900V 72A 417W TO247 | تحقيق |
 |
APT25GN120SG | Microsemi | IGBT 1200V 67A 272W D3PAK | تحقيق |
|
APT25GP120BDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 69A 417W TO247 | تحقيق |
 |
APT26F120L | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 | تحقيق |
|
APT25SM120B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
|
APT25GR120SD15 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | تحقيق |
 |
APT25M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | تحقيق |
|
APT25GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 69A 417W TO247 | تحقيق |
|
APT25GR120B | Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W TO247 | تحقيق |
|
APT25GLQ120JCU2 | Microsemi | PWR MOD IGBT4 1200V SOT227 | تحقيق |
|
APT25GR120SSCD10 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | تحقيق |
|
APT25GR120BD15 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W TO247 | تحقيق |
|
APT25GR120S | Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | تحقيق |
|
APT25GT120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 54A 347W TO247 | تحقيق |
 |
APT25GN120B2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 67A 272W TMAX | تحقيق |
|
APT26F120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX | تحقيق |
|
APT25GT120BRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 54A 347W TO247 | تحقيق |
|
APT25GP90BDQ1G | Microsemi | IGBT 900V 72A 417W TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات