русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > IMD10AT108
IMD10AT108
IMD10AT108
Тип продуктов:
IMD10AT108
производитель:
LAPIS Semiconductor
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
48644 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
1.IMD10AT108.pdf2.IMD10AT108.pdf
запрос

Введение

IMD10AT108 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для IMD10AT108, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для IMD10AT108 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить IMD10AT108 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Тип транзистор:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства:SMT6
Серии:-
Резистор - основание эмиттера (R2):10 kOhms
Резистор - основание (R1):10 kOhms, 100 Ohms
Мощность - Макс:300mW
упаковка:Original-Reel®
Упаковка /:SC-74, SOT-457
Другие названия:IMD10AT108DKR
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:10 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход:250MHz, 200MHz
Подробное описание:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс):500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс):100mA, 500mA
Номер базового номера:MD10A
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IMD10AT108

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IMD22C Crouzet IPD FLATPAK 2MM NAMUR 2M запрос
PUMH9,115 Image PUMH9,115 Nexperia TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP запрос
IMD23T108 LAPIS Semiconductor TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74 запрос
IMD3AT108 Image IMD3AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 запрос
NSVB114YPDXV6T1G Image NSVB114YPDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor TRANS BRT 50V 100MA SOT563 запрос
RN4904(T5L,F,T) Image RN4904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 запрос
IMD2AT108 Image IMD2AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 запрос
UP0339700L Image UP0339700L Panasonic TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 запрос
IMD10AMT1G Image IMD10AMT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R запрос
IMD8AT108 Image IMD8AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 запрос
IMD6AT108 Image IMD6AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 запрос
IMD24C Crouzet IPD FLATPAK 4MM NAMUR 2M запрос
RN1503(TE85L,F) Image RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV запрос
IMD9AT108 Image IMD9AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 запрос
IMD16AT108 Image IMD16AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 запрос
IMD1AT108 Image IMD1AT108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 запрос
IMD12C Crouzet IPD FLATPAK 2MM NAMUR 2M запрос
IMD14C Crouzet IPD FLATPAK 4MM NAMUR 2M запрос
IMD14T108 Image IMD14T108 LAPIS Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 запрос
NSBA123JDXV6T1 Image NSBA123JDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 запрос

Latest Новости