IMD10AT108
IMD10AT108
Modello di prodotti:
IMD10AT108
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
48644 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.IMD10AT108.pdf2.IMD10AT108.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SMT6
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms, 100 Ohms
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:SC-74, SOT-457
Altri nomi:IMD10AT108DKR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:250MHz, 200MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA, 500mA
Numero di parte base:MD10A
Email:[email protected]

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