IMD10AT108
IMD10AT108
Modèle de produit:
IMD10AT108
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
48644 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.IMD10AT108.pdf2.IMD10AT108.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SMT6
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms, 100 Ohms
Puissance - Max:300mW
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:SC-74, SOT-457
Autres noms:IMD10AT108DKR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz, 200MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA, 500mA
Numéro de pièce de base:MD10A
Email:[email protected]

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